1. |
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반도체 기초 복습
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기본적인 반도체 지식 반복 |
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PN Diode의 전기적 특성(I-V, Switching)-1
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Energy Band Diagram을 통해서 pn 접합을 그려보고 이해한다. |
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2. |
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PN Diode의 전기적 특성(I-V, Switching)-2
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pn diode를 재료, 온도, 구조, 크기, 재조공정 그리고 bias에 따라 전류 전압 특성을 분석해본다. |
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PN Diode의 전기적 특성(I-V, Switching)-3
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pn diode의 전류 관계식 분석을 모델링으로 분석해본다. |
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3. |
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PN Diode의 전기적 특성(I-V, Switching)-4
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pn diode의 전류 관계식 분석을 모델링으로 분석해본다. |
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4. |
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PN Diode의 전기적 특성(I-V, Switching)-5 practical diode의 특성
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pn diode의 역방향 순방향에 따라 바뀌는 전류 관계식 분석을 모델링으로 분석해본다. |
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PN Diode의 전기적 특성(I-V, Switching)-6 practical diode의 특성
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pn diode에 역방향과 순방향에 따른 실질적인 전류 관계식 현상 분석 |
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5. |
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PN Diode의 전기적 특성(I-V, Switching)-7 breakdown 특성
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Avalanche, Zener, Punch-through breakdown을 분석해본다. |
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PN Diode의 전기적 특성(I-V, Switching)-8 breakdown 특성
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Avalanche, Zener, Punch-through breakdown의 재료, bias, 온도에 따라 바뀌는 상태를 분석해본다 |
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6. |
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반도체 이종접합의 특성
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Energy Band Diagram을 통해서 반도체 동정접합과 이종접합의 특성 분석해본다 |
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7. |
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반도체 접합의 Energy Band Diagram
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반도체 접합을 통해서 Energy Band Diagram을 통해 Electric field까지 분석해본다 |
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schottky & Ohmic contact(1)
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열평형 상태의 schottky contact과 Energy Band Diagram을 통한 이해 |
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8. |
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schottky & Ohmic contact(2)
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schottky 접합에 bias를 인가하여 변하는 상태 분석을 Energy Band Diagram을 통해서 살펴본다. |
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바이폴라 트랜지스터의 동작원리
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기본적인 BJT의 특성을 배운다. |
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9. |
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MOS(Metal-SiO2-Semiconductor)구조의 이해-1
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MOS구조의 열평형 상태의 특성과 구조를 Energy Band Diagram을 통해서 분석해본다. |
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10. |
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MOS(Metal-SiO2-Semiconductor)구조의 이해-2
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MOS구조의 bias에 따른 EBD의 변화를 분석해본다. |
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MOS(Metal-SiO2-Semiconductor)구조의 이해-3
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MOS구조의 열평형 상태와 Flat band 상태 분석 |
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11. |
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MOS(Metal-SiO2-Semiconductor)구조의 이해-4
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MOS구조의 전하밀도부터 전계까지의 유도 과정을 분석해본다. |
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MOS(Metal-SiO2-Semiconductor)구조의 이해-5
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MOS구조에서 threshold와 subthreshold region을 bias에 따라 세부적으로 구분해본다. |
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12. |
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MOS구조와 MOSFET의 동작원리(1)
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MOS구조의 bias로 나눈 각 영역의 전류 특성을 모델링(1) |
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MOS구조와 MOSFET의 동작원리(2)
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MOS구조의 bias로 나눈 각 영역의 전류 특성을 모델링(2) |
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13. |
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MOS구조와 MOSFET의 동작원리(3)
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MOS구조에서 C-V curve의 측정 set-up과 특성을 분석한다. |
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MOS구조와 MOSFET의 동작원리(4)
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MOS구조에서 C-V curve 특성의 모델링 분석과 bias영역에 따른 상태변화 |
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14. |
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MOS구조와 MOSFET의 동작원리(5)
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MOS구조에서 Qit와 Dit에 따른 C-V 특성 변화 |
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MOS구조와 MOSFET의 동작원리(6)
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MOSFET의 동작원리와 I-V 특성 분석 |
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15. |
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MOS구조와 MOSFET의 동작원리(7)
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MOSFET의 전류 특성식 유도와 bias 조건에 따른 linear, saturation 동작 분석 |
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MOS구조와 MOSFET의 동작원리(8)
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MOSFET에서 재료,공정,구조,크기,bias에 따른 I-V 특성 분석 |
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MOS구조와 MOSFET의 동작원리(9)
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MOSFET의 특성 분석-Subthreshold slope, DIBL ,CLM 분석 |
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