1. | ![]() |
반도체 제조공정(1) | 단결정 실리콘 제조 | ![]() |
2. | ![]() |
반도체 제조공정(2) | MOS 단위 공정 (에피택시, 열산화) | ![]() |
3. | ![]() |
반도체 제조공정(3) | MOS 단위 공정 (식각, 이온주입, 열확산, 증착, 리소그래피) | ![]() |
4. | ![]() |
반도체 제조공정(4) | CMOS 일괄 공정 | ![]() |
5. | ![]() |
반도체 제조공정(5) | 레이아웃 | ![]() |
6. | ![]() |
반도체 제조공정(6) | 레이아웃 설계규칙, 레이아웃 설계실습 | ![]() |
7. | ![]() |
MOSFET(1) | MOS 구조 | ![]() |
8. | ![]() |
MOSFET(2) | 증가형 MOSFET의 구조, 문턱전압 | ![]() |
9. | ![]() |
MOSFET(3) | 증가형 MOSFET의 전압-전류 특성 공핍형 MOSFET의 구조 및 특성 | ![]() |
10. | ![]() |
기생 RC의 영향 | MOSFET의 기생 커패시턴스, 기생 RC의 영향 | ![]() |
11. | ![]() |
MOSFET 시뮬레이션 | MOSFET 시뮬레이션 실습 | ![]() |
12. | ![]() |
CMOS Inverter(1) | MOS 인버터의 구조 및 특성 파라미터 | ![]() |
13. | ![]() |
CMOS Inverter(2) | CMOS 인버터의 DC 특성 | ![]() |
14. | ![]() |
CMOS Inverter(3) | CMOS 인버터의 스위칭 특성 | ![]() |
15. | ![]() |
CMOS Inverter(4) | CMOS 인버터의 전력소모 특성 | ![]() |
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CMOS Inverter(5) | 다단 CMOS 인버터 버퍼 | ![]() |
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CMOS Inverter(6) | nMOS 및 pseudo nMOS 인버터 | ![]() |
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CMOS Inverter(7) | MOS 인버터의 시뮬레이션 실습 | ![]() |
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MOSFET 스위치 | MOSFET 스위치 및 PTL | ![]() |
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CMOS 전달게이트 | CMOS 전달 게이트 | ![]() |
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CMOS Static Logic(1) | CMOS 정적 논리회로의 구조와 동작 | ![]() |
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CMOS Static Logic(2) | CMOS 정적 논리회로의 스위칭 특성 | ![]() |
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CMOS Static Logic(3) | 논리회로의 지연 모델링(1) | ![]() |
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CMOS Static Logic(4) | 논리회로의 지연 모델링(2) | ![]() |
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Dynamic Logic(1) | 동적 논리회로의 구조와 동작 특성 | ![]() |
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Dynamic Logic(2) | 도미노 동적 논리회로, np-CMOS 동적 논리회로 | ![]() |
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Sequential Logic(1) | 래치 회로, 래치의 타이밍 파라미터 | ![]() |
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Sequential Logic(2) | 플립플롭 회로, 플립플롭의 타이밍 파라미터 | ![]() |
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Sequential Logic(3) | 순차회로의 동작 타이밍 | ![]() |
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Sequential Logic(4) | 클록 스큐와 클록 지터의 영향 | ![]() |
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Memory Circuits(1) | 반도체 메모리의 종류와 구조 | ![]() |
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Memory Circuits(2) | ROM의 구조, 마스크 ROM | ![]() |
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Memory Circuits(3) | EPROM 셀의 동작원리, EEPROM 셀의 동작원리 | ![]() |
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Memory Circuits(4) | 플래시 메모리 셀의 구조와 동작, NAND형 플래시 메모리 | ![]() |
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Memory Circuits(5) | NOR형 플래시 메모리 | ![]() |
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Memory Circuits(6) | SRAM 회로 | ![]() |
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Memory Circuits(7) | DRAM 회로 | ![]() |