my******* 2023-01-13 07:03

답변입니다. 채널은 없는 조건이 되지만 이는 고정된 전하가 존재하지 않는 것을 위미하지만 지나가는 전자는 존재할 수 있습니다. 이 지나가는 전자에 의해 도전율이 존재하여 전류는 흐르게 됩니다.

zi****** 2022-08-05 10:49

교수님 안녕하십니까, mos의 전압전류 특성에서 VGD(게이트와 드레인 사이의 전압)이 역전전압보다 작으면 drain 쪽에 채널이 형성안되고 끊어지면서 전류가 아예 못흐른는거 아닌가요?

my******* 2022-07-21 08:29

답변입니다. drift 전류를 무시한 것이 아니고 diffusion 전류를 구할 때 이미 포함이 된 것입니다. 즉 소수캐리어 밀도를 구할 때 이미 그 성분이 포함된 것임.

운영자2022-07-20 16:40

KOCW입니다. 해당 문의를 금오공과대학교로 전달하였습니다. 다만 학교 및 교수자의 사정에 따라 답변이 없거나 지연될 수 있는 점 양해바랍니다.

zi****** 2022-07-20 16:21

교수님 안녕하십니까, pn 접합 2 강의에서 정방향 전압가 걸릴때 전류를 구하는데, 그떄 왜 drift전류는 불변하는데 왜 무시하나요? 그만큼 diffusion 전류가 커서 무시하는건가요?

he******* 2022-02-20 16:58

전자회로1 Amplifier Circuit강의 22분40초 쯤 igɢ이니까 MOS의 오른쪽영역이 끊어진다고 하셨는데 MOS Gate부분은 끊어졌지만 Drain부분과 Source부분은 끊어지지 않아서 고려를 해줘야하는것 아닌가요?

my******* 2021-09-02 04:51

연산증폭기는 매우 많은 트랜지스터를 사용하여 IC chip 형태로 제작된 증폭기로서 사용이 편리한 하나의 또 다른 소자입니다.

my******* 2021-09-02 04:49

MOSFET와 연산증폭기가 모두 증폭기로서는 같지만 증폭율, 입력저항, 출력저항값이 서로 다르므로 같은 방법으로는 해석하면 틀림.

ti**** 2021-05-21 00:18

둘의 등가회로는 비슷하지만, 회로이론 연산증폭기에서는 DC 전압도 증폭시켜 계산했는데 MOSFET을 이용한 Amplifier는 AC전압의 진폭만 증폭시킨다고 하여 둘을 분리하여 생각해야하는 것인지 여쭤보고 싶습니다.

ti**** 2021-05-21 00:16

해당 전자회로의 4단원에서 배우는 MOSFET Amplifier와 회로이론에서 배웠던 연산증폭기와는 다른 것인가요?

ti**** 2021-05-21 00:16

안녕하세요, 교수님. 우선 너무 좋은 강의 올려주셔서 감사드립니다. 강의를 완강하고 한가지 의문점이 있어 질문드립니다.

my******* 2021-01-05 05:25

금오공대 홈피에 있는 인터넷디스크(아이디 : F00093 비번 : myung7483)에 있습니다.

sp****** 2021-01-04 15:34

전에는 강의자료 찾을 수 있는 링크를 주셨던 것 같은데 어디서 받을 수 있나요?

my******* 2021-01-04 15:19

흐르는 물에 잉크를 떨어뜨리면 잉크의 확산이 어떻게 되는 지 알 수 있는 바와 같이 확산속도가 물의 속도보다 크면 확산이 일어나지만 물의 속도가 크면 물의 흐름에 거슬러 올라가는 확산은 없습니다.

my******* 2021-01-04 15:14

확산으로 움직이기 위해서는 캐리어가 갖고 있는 에너지가 장벽의 높이보다는 큰 경우에 대해서만 일어납니다. 따라서 공핍층의 전계가 증가하면 장벽의 높이가 증가하고 이로 인해 확산이 감소합니다.

ut********** 2021-01-03 21:18

라고 하셨는데 전위차는 Drift를 구성하는 변수이고 Diffusion과는 상관 없는 변수인데 왜 drift는 불변하고 Diffusion의 증감이 있는지 도저히 이해가 안갑니다 ...

ut********** 2021-01-03 21:16

교수님 좋은 강의 잘 듣고 있습니다. 질문이 있어서 댓글 납깁니다. 교수님께서 설명하시기를 Diffusion은 농도차이에 의해 일어난다고 하셨는데, 그 이후에 Bias를 걸어주면 전위차가 생겨서 Diffusion이 감소한다

tm******* 2020-08-31 13:05

아직 강의를 듣기 전인데, 강의 자료 따로 필요없이 교재만으로 수업하나요?

my******* 2020-08-14 14:51

중첩의 원리로 입력전압에 대한 응답과 출력전류에 대한 응답을 더해야 함.

my******* 2020-08-14 14:50

비슷한 관계로 vi>0.26V인 조건에서는 VGD>VTN 의 조건을 만족하여 ohmic 영역에서 동작하는 영역이 발생함.

my******* 2020-08-14 14:50

Vm>1.12V 이면 vi <-1.12 인 시간영역이 존재하면 그영역에서는 vGS < VTN 인 조건을 만족하여 cutoff mode로 동작하게 되고

sa***** 2020-08-13 19:33

그리고 14강 Common Source Amplifier 9분 34초에서 V2= Av*V1 + R0* I2라고 하셨는데 R0 * I2 항이 왜 있는지 잘 모르겠습니다. V2= Av* V1이 맞지 않나요?

sa***** 2020-08-13 16:52

교수님 13강 증폭기 Ac해석 15분 50초 부분에서 Vm <= 1.12V를 위반하면 cutoff영역, Vm<= 0.26V를 위반하면 ohmic 영역으로 간다는 말이 이해가 잘 되지 않습니다..왜 반대는 안되는건가요?

my******* 2020-08-08 05:16

네 맞습니다.

sa***** 2020-08-07 17:29

이해 됐습니다! 교수님 그 N-channel JFET에서 소스와 그라운드 사이에 저항을 달아야 하는 이유가 Vg < Vs인 역 바이어스를 만들기 위해서인가요?

my******* 2020-08-06 14:19

Subthreshould conducting 현상은 cutoff 영역에서 전류가 흐르므로 입력전압이 threthould 전압보다 낮더라도 전류가 흐르고 이로인해 active load에 전압이 유기되므로 출력전압이 감소함.

my******* 2020-08-06 05:05

출력전압 v0가 vdd 이상이 되면 MOS에 인가되는 전압이 음이 되므로 v0의 최대값이 Vdd가 됨.

my******* 2020-08-06 05:02

그런데 MOS가 n-channel이므로 캐리어는 전자가 되고 따라서 전자는 드레인에서 소스로 흐름. 또한 단자를 명영하기를 전자가 출발하는 단자가 소스단자이므로 단자의 이름이 바뀜,

my******* 2020-08-06 05:00

Gate 단자와 드레인 단자가 연결된 n-type MOS에서 드레인 단자와 소스단자사이에 음의 전압을 인가하면 두단자사이에 전류가 흐른다면 소스전압이 높은 전압이므로 소스에서 드레인으로 전류가 흐름

sa***** 2020-08-05 17:35

왜 id vs Vo 그래프에서 Vdd까지만 생각하자는 건지 이해가 잘 안됩니다. 그리고 subthreshold conducting 때문에 전압이 생기는 현상이 전달특성의 그래프가 감소하는 결과로 이어지는 지도 잘 모르겠습니다

sa***** 2020-08-05 16:27

교수님 질문이 있습니다! 12강 Active Load(I) 부분인데요.25분 17초에서 v가 음수일 때는 단자가 바뀌어 버리기 때문에 음수 부분은 생각하지 않는다고 하셨는데 이게 Vdd랑은 무슨 관계 인지 잘 모르겠습니다.

my******* 2020-08-02 04:45

Op-Amp.에 대한 강의는 없습니다.

hh****** 2020-08-01 17:13

제가 찾지 못한것인지 아니면 교수님께서 건너뛰신것인지 여쭤보고 싶습니다. 감사합니다

hh****** 2020-08-01 17:13

교수님 안녕하십니까. 어느덧 공부하다보니 마지막 강의까지 듣게 되었습니다. 다음 커리큘럼에 질문드릴게 있어서 이렇게 글 남깁니다. 전자회로2와 전자회로3의 강의목록을 보니 op-amp 부분이 보이지 않아서

my******* 2020-07-19 17:54

D1에 흐르는 전류가 D2쪽으로 흐르려면 다이오드 방향이 반대가 되어야합니다. 즉 다이오드에 흐르는 전류의 방향은 항상 anode에서 cathode로 흐릅니다.

sa***** 2020-07-17 21:10

교수님 안녕하세요! 강의 듣다가 질문이 생겨서 글 올립니다~ 7강 Diode 회로(I) 마지막 부분 전파 정류 회로에서 D1으로 흐르는 전류가 저항 쪽이랑 D2쪽으로 나뉘는데 왜 D2쪽으로는 못 흐르는건가요?

hh****** 2020-07-16 15:25

감사합니다 교수님. 건강 유의하시고 좋은 하루 보내시기 바랍니다

my******* 2020-07-16 14:48

D1의 왼쪽 loop로 loop방정식을 구할려면 저항이 있기 때문에 흐르는 전류를 알아야 합니다. 오른쪽 loop에 대한 loop 방정식을 구하면 vD1 = vo - VB1 됩니다.

hh****** 2020-07-16 11:53

VD1=VI-VD1 이라고 생각하였는데, 어떻게하여 V0-VB2 가 되는지 궁금합니다.

hh****** 2020-07-16 11:52

교수님 안녕하십니까, 강의 잘 듣고 있습니다. 영상 시청 중 궁금한점이 생겨서 질문 드립니다. 8-3의 paralled-based diode clipper 강의영상 22ᚪ 즈음, D1이 off, D2가 on 된 상황에서 VD1=V0-VB2 라고 하셨는데

my******* 2020-07-15 04:49

네 맞습니다. 기울기가 Vt가 아니고 1/Vt 입니다.

sa***** 2020-07-14 16:11

교수님 안녕하세요! 강의 잘 듣고 있습니다~ 그 6강 PN접합3에서 ln(id) vs vd 그래프의 기울기가 왜 Vt인지 잘 모르겠습니다. 수식 ln(id)=ln(Is)+ (vd)* 1/Vt에 따르면 기울기는 1/Vt가 맞지 않나요?

my******* 2020-05-23 23:46

수식적으로 착각을 했네요 vD1 = vs-vo = vs + R/(R+rD) * (vs + Vr) < Vr 로 수정해야 합니다. 따라서 vs < rD/ƒ+rD) * Vr이 되지만 결과는 달라지지 않습니다.

ww******** 2020-05-20 16:55

7강 Diode 회로(II)에서 12분-13분대에 Vo는 -(R/R+rD)(Vs+Vr)였는데 왜 2번 조건 구할때는 Vo에 Vs-Vr로 대입되는 건가요?

my******* 2020-05-18 11:51

교보문고에서 판매권을 가지고 있으니 교보문고로 알아보세요.

ka***** 2020-05-16 18:11

안녕하세요.교수님. 항상 감사히 강의를 보고 있습니다. 다름이 아니라 교재를 구매하려고 보니 인터넷으로는 전부 품절인 상태라서 어디서 구해야 할지 막막합니다. 마땅한 교재 구입처가 있는지요?

my******* 2020-03-24 14:44

포화영역에서 드레인 전류가 일정한 이유는 Vds증가하더라도 채널이 존재하는 부분은 전계의 변화가 없고 전압의 증가분이 모두 채널이 없는 부분에 걸리므로 전류의 변화는 없습니다.

09****** 2020-03-23 16:24

교수님 MOS동작 관련된 질문입니다. Id-Vds 특성 그래프에서 Vds 값을 Vgs-Vtn 이상을 가해주어도 Id 값은 일정하게 saturation mode 로서의 동작을 보여주는데 Vds가 커져도Id가 일정한 이유(원인)은 무었인가요?

ha******** 2020-03-21 04:53

감사합니다.

my******* 2020-03-19 16:55

그렇게 생각해도 되고요 어떠한 방법으로든 전계가 존재하면 drift current가 발생하고 캐리어 농도차가 발생하면 diffusion current가 발생합니다. 전계라든디 캐리어 농도차이는 여러가지 방법으로 발생합니다.

ha******** 2020-03-19 11:40

1. drift 전류는 외부에서 n형 반도체에 전계를 인가한다는 전제를 두고 생각해야 하는 것이 맞는지요? 2. diffusion 전류는 n형 반도체 외부양쪽에 농도가 다른 p형을 붙인다고 전제를 두어야 하는 건가요?

ha******** 2020-03-19 11:39

안녕하세요. 선생님. bjt를 공부하다가 잠시 복습을 하던중 궁금한 것이 생겼습니다. 3강 반도체의 물성 강의 30분10초 부분에서,

ha******** 2020-03-13 22:34

감사합니다. 선생님의 명강의를 듣다보니 전자회로1을 어느새 다 배우게 되었습니다. 진심으로 돈으로도 살 수 없는 귀한 기회를 주셔서 감사합니다.

my******* 2020-03-13 15:07

JFET는 집적도에서도 장점이 없고 선형성에서도 장점이 없지만 대전류용(전력면에서 특성이 우수함.)으로 사용됨. 대략적으로 용도면으로 3가지가 나누어짐.

my******* 2020-03-13 15:05

MOSFET는 집적도가 매우 우수하여 IC 칩으로 회로를 구성할 경우 매우 큰 장점을 가짐. 그러나 선형성이 BJT에 비해 다소 저조함.

my******* 2020-03-13 15:03

BJT는 FET에 비해 선형성이 매우 우수합니다. 그러나 집적회로로 구성할 경우 집적도가 낮아서 개별 소자로 많이 사용합니다. 즉 PCB에 개별 트랜지스터로 사용될 경우 많이 사용함.

my******* 2020-03-13 15:01

예 5k가 맞아요. 제가 실수했네요

ha******** 2020-03-13 12:15

15강 마지막 강의 JFET 12분12초 부분에서 R1+R2+R3 값은 5K 가 아닌지요? 그리고 jfet 과 mosfet 과 bjt 의 용도는 어떻게 다른지요?

my******* 2020-03-02 19:19

앗 틀렸네요. 포화영역이 될려면 Vds > Vds(sat.) = Vgs - VTn 입니다.

jl***** 2020-03-02 09:54

답변 감사합니다. 그런데 포화영역에서 동작한다는 조건은 Vds>Vgs-Vtn일 때 아닌가요? 왜 Vtn과만 비교하는지 궁금합니다.

my******* 2020-03-02 03:51

MOS가 포화영역에서 동작한다는 가정으로 계산한 값이므로 포화영역에서 동작하는지 여부를 점검하는 경우이므로 Vtn과 비교함.

jl***** 2020-03-01 19:50

12강 4번째 강의에서 6분 쯔음에 vds=-30v라는 것은 0v보다 작을 떄 전압이 바뀌는 것이 되므로 안되는것 아닌가요? 왜 vtn과 크기 비교를 하시는 지궁금합니다.감사합니다

jl***** 2020-02-27 22:21

네.감사합니다

my******* 2020-02-27 19:16

네 맞아요. 제가 실수했네요. iD = knL {2 (-VTL)VDSL - VDSL^2 } 입니다.

jl***** 2020-02-27 16:00

12강 active load 두번째 강의에서 13분 40초쯤에 id=knl{2(-vtnl)*(vdd-v0(-(vdd-v0)^2}여야 하는거 아닌가요 곱하기 2가 없는 것같아서 질문드립니다.

my******* 2020-02-12 15:30

김명식입니다. 착각해서 반대로 말을 했네요 미안합니다. VDS의 값을 증가시켜야 함.

ha******** 2020-02-12 11:10

입력전압의 진폭을 키우기 위해서는 DS전압이 높아져서 출력전압의 하단부가 잘리지 않게해야하는 것이 아닌지요? 그러려면 GS전압을 낮추기위해 저항R2를 작게해야할 것 같은데 가르쳐 주시면 감사하겠습니다

ha******** 2020-02-12 11:09

14강 common source amplifier 30분 50초 지점에서, +쪽으로 입력할 수 있는 진폭이 좁으니, DS전압을 더 높여야 하는게 아닌지 여쭤봅니다. 입력전압이 출력으로 나올때 반전이되고,

my******* 2020-02-11 15:23

김명식입니다. 네 맞아요 드레인과 소스사이의 DC전압이 5V이니까 5-vo 로 표기해야함.

ha******** 2020-02-11 04:42

14강 common source amplifier 27분 16초 지점의 2.5 는 5로 써야하지 않는지 여쭤봅니다.

my******* 2020-02-02 05:01

메 맞아요, 제가 실수했네요

jl***** 2020-02-01 09:20

감사합니다!

ha******** 2020-02-01 07:06

안녕하세요. 선생님. 좋은강의 항상 감사하는 마음으로 듣고 있습니다. 질문드립니다. 13번 강의 MosAmplifier 1 에서 34분31초 지점에서 RdKnVi^2 의 부호가 - 가 되어야 하는 것 아닌지요?

my******* 2020-02-01 04:07

네 맞습니다. V_gammar는 ptype족이 + ntype쪽이 -극성입낟.

jl***** 2020-01-31 10:33

순방향전압과역방향전압모두 저항이 전압과는 다른 극성으로 연결해있다고 이해하면 될까요? 교수님께서쓴식을 이해하려면다이어드전압전체가 -Vgamma+가 아닌 +Vgamma-로 연결되어있어야되는거아닌가요? 감사합니다

my******* 2020-01-31 03:33

tɢ 전후로 다이오드에 걸리는 전압은 불변입니다.

my******* 2020-01-31 03:32

스위치 변경 된 후 (tɢ+) 인 경우 VR(외부전압) = Rr X IR (저항에 걸리는 전압) - Vgamma (다이오드에 걸리는 전압)

my******* 2020-01-31 03:29

순방향일때 전압관계는 Vf (인가전압) = Rf X ID(저항에 걸리는 전압) + Vgamma(다이오드에 걸리는 전압 )

my******* 2020-01-31 03:21

김명식입니다. 순방향전압이 인가된 경우(t<0) 설명하면서 저항에 걸리는 전압의 극성을 반대로 표기했습니다. 그외는 틀린게 없습니다.

jl***** 2020-01-30 23:56

또, reverse로 걸릴때는 +VR-Vr(저항에걸리는전압)-V_감마ɢ아닌가요 두 케이스 모두 저항에 걸리는 전압을 이해하지못해서 질문드립니다 감사합니다,

jl***** 2020-01-30 23:48

7강에서forward로걸릴때모든소자의방향이(-)에서(+)로 가므로 kvL을 사용하면 Vf+VR(저항에걸리는전압)+V_감마ɢ인거아닌가요 그러면 VR=-(Vf+V_감마)인거아닌지 궁금합니다.감사합니다

ha******** 2020-01-22 08:03

감사합니다.

my******* 2020-01-21 20:32

다만 DC바이어스 전압을 높여 넓은 영역에서 MOS가 saturation 영역이 되게하고 또한 saturation 영역의 중앙점에 동작점이 있게 하면 distortion noise가 감소

my******* 2020-01-21 20:32

김명식입니다. Distoryion noise를 완전히 제거할 수는 없습니다.

운영자2020-01-21 13:54

KOCW입니다. 문의내용을 금오공과대학교로 전달했습니다.

ha******** 2020-01-21 12:32

이 부분은 어떻게 해결해야하나요?

ha******** 2020-01-21 12:32

다단 증폭의 경우 첫단에서 small signal 이라고 할만한 입력파가 입력되어서 잘 증폭된 출력파가 나왔다고 하더라도, 다음단의 입력으로 큰 입력의 정현파가 입력되면 다시 찌그러진 출력파가 나오게 되지않을까요?

ha******** 2020-01-21 12:29

12강 중에서 Amplifier Circuit 강의 33분 40초 지점에서, 입력전압의 진폭이 작을수록 출력전압의 진폭도 오류가 적게 정현파로 나타난다고 하신부분에서 질문드립니다. 예를들면,

my******* 2020-01-10 03:29

강의교재 "전자회로" 출판사 Mcgraww Hill Korea 역자 김규철외 9인, 원저자 : Donald A. Neamen 입니다.

ui****** 2020-01-09 15:41

이 강의에 사용된 교재가 어느 것인지 알 수 있을까요?

ha******** 2019-12-25 06:52

답변 감사드립니다. 선생님 덕분에 열심히 공부하고 있습니다.

my******* 2019-12-24 15:43

금오공대 김명식입니다. knL의 표기해야하는데 kn으로 표기했습니다. 죄송합니다.

운영자2019-12-24 11:30

KOCW입니다. 문의내용을 금오공과대학교로 전달했습니다.

ha******** 2019-12-24 11:25

12강 액티브로드2 강좌 15분10초 부분에서 식을 정리하실 때 KnL 을 Kn 이라고 쓰셨는데, 왜 그런지 여쭤보고 싶습니다.

my******* 2019-12-10 13:44

제가 착각을 한 모양입니다. 잘 쓰지않는 저항값이라 제가 잘못 알고 있었네요.

ha******** 2019-12-10 09:30

MOSFET DC 해석 II 강의 33분10초 에서 표준저항값들이 1/12 간격이면 맨마지막 저항값은 8.3 이 되어야 하지 않을까요?

ha******** 2019-12-09 16:15

감사합니다.

my******* 2019-12-09 11:47

첫번째 1.0 두번째 숫자 exp ( 1/ 12) 세번째 exp ( 2 /12 ) ...

my******* 2019-12-09 11:43

두번째 질문의 답입니다. 모두 12개의 숫자이므로 한칸은 1/12임 따라서 log(x) = n/12 (nɣ, 2, 3, ...) 소수점 둘째자리에서 반올림.

my******* 2019-12-09 11:29

금오공대 김명식 입니다. 첫번째 질문은 내가 잘못 기입함. 2V임.

운영자2019-12-09 09:14

KOCW입니다. 문의내용을 금오공과대학교로 전달했습니다. 답변이 오는 대로 안내드리겠습니다.

ha******** 2019-12-08 16:43

칠판에 적어주신 간격으로 값이 나오지 않습니다.

ha******** 2019-12-08 16:42

MOSFET DC 해석 II 강의 33분10초 에서 표준저항값들이 로그로 등간격이라고 하셨는데,로그값 계산을 어떻게 등간격으로 한것인지 알려주시면 감사하겠습니다. 상용로그나 자연로그 모두 log10, log20 등으로 해도

ha******** 2019-12-08 16:38

MOSFET DC 해석 II 강의 38분15초 에서 전류식의 임계전압을 1볼트라고 하셨는데, 2볼트로 수정해야 하겠습니다.

ha******** 2019-11-20 08:21

자세한 답변 감사드립니다.

my******* 2019-11-19 15:42

변수가 여러개인 경우 편미분을 사용하고 미지수가 하나에 대한 표현일 경우 그냥 미분형식으로 사용하나 이 경우에도 편미분을 사용해도 무방함. 혹 변수가 많을 경우를 대비하여 편미분으로 표현함.

ha******** 2019-11-18 16:55

라운드기호를 써서 미분할 때는 편미분을 의미하는 것인데, 무슨이유에서 편미분 기호를 쓰셨는지 알고 싶습니다.

ha******** 2019-11-18 16:55

선생님. 10. MOS의 전기적특성 강의1 의 16분 지점에서 저항을 (라운드V / 라운드 I) 라고 하셨는데, 그냥 라운드 대신에 d를 써서 ( dV/dI) 이렇게 쓰는 것과 무슨차이가 있는지요?

운영자2019-11-18 15:53

KOCW입니다. 문의내용을 금오공과대학교로 전달했습니다. 답변이 오는 대로 안내드리겠습니다.

pa**** 2019-10-21 08:52

정말 최고의 강의입니다. 실무에 큰 도움이 됩니다. 그런데 카메라 촬영은 최악입니다.

ha******** 2019-08-31 11:33

휴일에도 친히 답해 주셔서 진심으로 감사드립니다. 잘 이해가 되었습니다.

my******* 2019-08-31 08:42

즉 다이오드에 전류가 흐르면 다이오드 양단에 V_감마 만큼 전압이 걸리다고 생각함. 이는 V_a의 값이 0임을 의미함.

my******* 2019-08-31 08:40

V_a는 공핍층에 형성되는 전위장벽으로 0V가 된다는 것은 전위장벽이 사라져 확산전류를 제한하는 장벽이 사라짐을 의미함. 따라서 다이오드에 흐르는 전류는 주변회로에 의해 결정됨.

my******* 2019-08-31 08:39

V_감마 도핑정도, 온도등에 따라 다르지만 일반적으로 회로에서는 0.6내지 0.7V정도로 둡니다.

ha******** 2019-08-31 08:27

답변 감사드립니다. 그런데 실제 열평형 상태일때 V_감마 값은 얼마정도가 되는지요? 그리고 V_a 즉, 공핍층에 걸리는 전압이 0 이면 전류가 흐른다는 의미는 무엇인지요? 공핍층이 완전히 사라진다는 의미인지요?

my******* 2019-08-30 10:33

5강에서 V_a = V_감마 - V_D 는 V_D가 V_감마 보다 작을 때 성립하는 식이고 일반적으로 전류가 흐르면 V_a = 0로 둘 수 있음.

my******* 2019-08-30 08:57

V_f = V_R(저항에 걸리는 전압) + V_D , V_D = V_(감마) - V_a(공핍층에 걸리는 전압), V_a = 0

my******* 2019-08-30 08:55

따라서 5강의 전압, V_D 와 7강의 V_f의 관계는 다음과 같습니다.

my******* 2019-08-30 08:55

7강의 경우 저항이 있는 경우로 인가전압중 다이오드에 걸리는 전압은 V_감마와 같고 나머지 성분은 저항에 걸립니다.

my******* 2019-08-30 08:53

5강은 저항이 없는 상태로 인가전압이 V_감마 와 비슷할 경우 전류가 흐름.

my******* 2019-08-30 08:52

금오공대 김명식입니다. 답변이 다소 달라 다시 입력합니다.

운영자2019-08-29 09:24

Vf=VR/저항에 걸리는 전압/+VD, Va=Vr - VDɢ 입니다.

운영자2019-08-29 09:24

5강은 저항이 없는 경우이고 7강은 저항이 있는 경우로 5강의 전압 VD 는 다이오드에 걸리는 전압으로 7강의 Vf는 인가전압으로 다음과 같은 관계를 만족합니다.

운영자2019-08-29 09:23

강의문의내용에 대한 교수님의 답변입니다. => 이전 답변을 잘못 보내 다시 보냅니다. 답변은 다음과 같습니다

ha******** 2019-08-27 18:11

공핍층 전압은 V감마 - V정방향전압 이라고 봐야되지않나요?

ha******** 2019-08-27 18:10

t가 0보다 작은 상태, 즉 스위치를 역방향 바이어스 쪽으로 움직이기 전까지는 정방향바이어스가 걸려있는 상태로 충분한 시간이 지났다고 생각해야하는 것 아닌지요? 그렇다면

운영자2019-08-27 14:28

강의 7에서 설명한 경우는 시간의 개념을 고려한 경우로 공핍층 내에서의 carrier 상태를 시간에 따라 변화되는 모양을 고려한 경우임.

운영자2019-08-27 14:27

강의 5에서 설명한 부분은 시간의 개념이 없는 상태이므로 충분히 시간이 흐른 후에의 결과를 논한것임.

운영자2019-08-27 14:27

강의문의내용에 대한 교수님의 답변입니다.

ha******** 2019-08-27 14:02

고 하셨습니다. 두가지가 서로 상충되니 이해가 어렵습니다. 이해를 도와주시기를 부탁드립니다.

ha******** 2019-08-27 14:02

5강 p-n 접합 II 31분 20초 지점에서 정방향 전압이 인가되고 일정시간이 지난 상태라면 공핍층 양단에는 V감마-V정방향인가전압 에 해당하는 전압이 형성된다.

ha******** 2019-08-27 13:59

선생님. 좋은 강의 감사드립니다. 한가지 질문도 드리고 싶은데요. 7강 p-n 다이오드 I 강의 2분 23초 지점에서 정방향 바이어스일때 전류흐름을 설명하시면서 공핍층양단 전압을 V감마 라고 하셨는데요

운영자2019-08-20 15:41

따라서 빗금친 부분의 hole이 재결합되는 양만큼 p영역에서 hole이 공급되어야 함.

운영자2019-08-20 15:40

p영역에서 n영역으로 들어오는 hole의 양과 n영역에서 재결합하는 hole의 양이 같아야 n영역에서의 hole량의 변화가 없음.

운영자2019-08-20 15:40

강의문의내용에 대한 교수님의 답변입니다.

ha******** 2019-08-20 12:08

빗금친 이외의 영역의 크기만큼 홀이 공급되어 전자와 재결합 되어야 빗금친 부분만큼의 홀이 계속 유지 될 수 있지않나 하는 생각이 듭니다.

ha******** 2019-08-20 11:58

공급되어야 한다고 하셨는데요. 재결합 되는 양은 그래프에서 빗금 친 부분이 아니라 빗금친 이외의 영역이 재결합되는 양이 아닌지요?

ha******** 2019-08-20 11:56

6강. pn 접합 (III) 강의. 초반 5분 사이의 강의중 " n 영역에서 홀이 recombination 되는 양만큼 n 영역으로 홀이 공급되어야 일정 홀 농도가 유지될 수 있으므로, 우측 그래프에서 적분하시며 빗금을 치신 양만큼

운영자2019-07-23 17:28

강의문의내용에 대한 교수님의 답변입니다. 온도가 올라가면 캐리어의 mobility가 불순물 산란일 경우 증가하고 격자 산란일 경우 감소 함. 일반적으로 lattice scattering이 주가 되므로 mobility는 감소함

tj******** 2019-07-20 11:06

MOSFET 전기적 특성(II) 강의 마지막 부분࿉분경)에서 온도가 높아지면 kn이 낮아진다고 하셨는데, 온도가 높아지면 모빌리티가 높아져서 kn이 높아질거라고 생각했는데, 낮아지는 요인이 있나요?

운영자2019-07-12 15:55

단 주변의 4개 Si 원자와 공유결합/자신의 전자 4개와 주변에서 주는 전자 4개 모두 8개의 전자로 이루어짐/으로 형성됨. 일반적으로 궤도의 모양과 위치는 수소원자 단독으로 존재할 경우에는 풀 수 있음 .

운영자2019-07-12 15:54

금오공대 답변입니다. 고전역학으로 생각하면 곤란한 경우임. 정확히 궤도의 모양이나 위치등은 알 수 없음.

ha******** 2019-07-12 14:26

https://m.blog.naver.com/namgoocha/220513684758

ha******** 2019-07-12 14:19

https://m.youtube.com/watch?v=ZouKOPfFjIQ 실리콘원자들이 결합할때 에너지밴드의 변화 참고사이트

ha******** 2019-07-12 11:37

반도체의 물성 1에서. 예를들어 순수실리콘 원자 2개가 공유결합을 하면 공유된 전자는 두 원자를 모두 아우르는 8자모양의 궤도를 가지게 되는 건가요? 여러개의 원자가 공유되었을 땐 또 어떤궤도를 가지나요?

운영자2019-06-27 16:24

금오공대 답변입니다.전자의 의한 전류는 conduction band에 있는 전자에 의한 전류이고 정공에 의한 전류는 valence band에 있는 전자의 흐름을 나타낸것이므로 전자에 의한 전류와 정공에 의한 전류는 서로 별개임

ha******** 2019-06-27 13:49

반도체의물성에 대한 강의3에서, 전체전류를 전자에의한 전류와 정공에의한 전류의 합이라고 하는데요. 전자의 흐름에의해서 전류가 1A가 흐른다면 정공도 그 반대급부로 똑같이 1A가 흐르게 되니 한 방향으로 2A가

운영자2019-06-25 16:12

KOCW입니다. 문의를 금오공과대학교로 전달했습니다. 답변이 오는 대로 안내드리겠습니다.

운영자2019-06-17 14:07

금오공과대 답변입니다-> 제가 착각을 하였네요. 비례상수가 VT 가 아니고 1/VT 입니다.

tj******** 2019-06-16 13:25

6강 pn접합Ɠ) 강의 21분 32초 경 그래프 기울기가 왜 VT인지 의문이 들어 질문드립니다.

운영자2019-06-10 14:13

구조적으로는 CMOS가 아니지만 active load를 사용한 경우로 common source나 common gate와 같은 개념으로 이름을 사용한 경우임. 엄밀히 말하면 CMOS구조는 아님

운영자2019-06-10 14:13

금오공과대 답변입니다-> CMOS회로일 경우 NMOS와 PMOS가 연결되어야 하지만 active load를 연결한 Source follower 회로에서는 두개의 MOS가 같은 종류일 수밖에는 없음.

le**** 2019-06-10 08:53

CMOS 소스팔로워 증폭기 회로를 보면 n채널 MOSFET으로만 구성돼있는데 왜 CMOS 라고 불리는건가요??

le**** 2019-06-09 22:45

common gate 회로에서 입력등가저항이 Rsi 라고 하셨는데 책에는 1/gm 이라 나와있습니다 책 내용이 잘못된건가요??

운영자2019-06-05 13:35

출력저항도 마찬가지로 부하를 포함 또는 미포함 모두 가능하지만 여기에서는 미포함한 경우 입니다.

운영자2019-06-05 13:35

금오공과대 답변입니다->일반적으로 입력저항을 계산할 경우 전원의 저항값을 포함 또는 미포함 모두 가능하지만 여기에서는 전원의 저항을 미포함한 것임.

le**** 2019-06-01 20:58

캐스케이드 회로에서 입력등가저항과 출력등가저항을 구할 때 왜 Rsi 와 RL 저항은 고려하지 않는건가요???

운영자2019-04-25 17:35

금오공대의 답변입니다. 일반적으로 칩에서는 모든 NMOS의 body는 접지로 PMOS는 전원으로 연결됨. Source에 다른 소자가 연결될 경우 body와 source는 바로 연결이 안됨

ni******** 2019-02-10 14:03

운영자님 질문 배달도 해주시나보네 개쩐당~~

ir**** 2019-01-30 23:01

교수님 강의는 별5개인데 카메라때문에 집중 다 깨지고 칠판이 안보이네요

운영자2018-12-26 09:17

따라서 드레인과 소스사이에 걸리는 전압을 무시하여 0로 간주한다면 드레인 전류의 크기와 무관하게 걸리는 전압은 0가 되므로 스위치 on과 동일한 특성임

운영자2018-12-26 09:17

MOSFET가 Ohmic mode로 동작할 경우 드레인에 흐르는 전류와 드레인과 소스사이의 전압이 연관관계는 있지만 드레인과 소스 사이에 걸리는 전압은 그 크기가 작아 무시할 수 있다.

운영자2018-12-26 09:17

따라서 cutoff mode는 스위치 off 와 동일한 특성임. 스위치가 on일 경우 특성은 소자에 흐르는 전류의 크기와 무관하게 양단에 걸리는 전압은 0임.

운영자2018-12-26 09:17

금오공대 답변입니다.스위치가 off일경우 특성은 소자 양단에 걸리는 전압의 크기와 무관하게 전류가 흐르지 않음. MOSFET가 cutoff mode일 경우 드레인과 소스사이의 전압이 크기와 무관하게 드레드레인 전류가 0임

jh********* 2018-12-21 09:07

MOSFET를 스위치로 on off로 사용시는 MOSFET의 어떤 mode 영역을 사용하는 것인지요? MOSFET가 off될때는cutoff영역에서 동작하는지는 알겠는데 MOSFET가 on 되어 (스위치 on)으로 동작할 때는 어떤 mode가 됩니까?

운영자2018-11-20 15:30

KOCW입니다. 문의에 대한 답변입니다. 등가회로를 그릴 경우 전류의 증감을 표기하기 때문에 전류의 방향은n-channel p-channel 모두 드레인에서 소스로 전류가 흐르고 크기는 gm Vgs 입니다.

al***** 2018-11-19 21:22

질문: active load를 사용한 amp구성시 ac 등가회로에서 전류원 방향을 원래 회로의 전류 방향을 생각하는것이 아니라 각각의 mos마다 등가회로의 단자를 적어놓은것에 Drain->Source로 잡으면 되나요??

운영자2018-09-21 17:40

KOCW입니다. 본 강의는 HTML 또는 Flash로 제공되는 강의입니다. 윈도우 미디어 플레이어로는 재생이 어렵습니다. 양해 부탁드립니다.

hj*** 2018-09-21 17:30

처음에 동영상 재생하는 프로그램이 윈도우 미디어 플레이어로 재생됫으면 좋겠습니다 방법이 없을까요?

운영자2018-08-16 15:17

KOCW입니다. 금오공과대학교로 문의 내용 전달하여 영상 수정했습니다.

mi********** 2018-08-15 22:13

pn diode2 와 piecewise linear model 강의의 상당부분이 겹치는 것 같습니다. 원래 이런가요??

ad**** 2018-05-31 23:20

12부분의 digital circuit강의가 관련강의가 아니고 active load의 연장강의 인것같습니다. amplifier circuit 강의로 넘어갈때 이어지지않아서 이해하기에 어려움이있네요.

운영자2018-05-18 17:52

KOCW입니다. 문의하신 내용은 김명식 교수님의 다른 강의 /Bipolar Junction Transistor/를 보시면 될 것 같습니다. 강의순서가 전자회로1, Bipolar Junction Transistor, 전자회로2 입니다.

wn******** 2018-05-18 16:56

BJT (바이폴라접합트렌지스터)는 전자회로2에서 설명한다고 하셨는데 전자회로2에도 강의목록에 없습니다.. 혹시 따로 들을 수 있는 방법이 없는 것인가요??

운영자2018-04-13 15:20

현재도 아이폰 및 맥에서의 재생이 되지 않는 경우에는 고객센터 02-6271-0208,9로 연락주시기 바랍니다.

운영자2018-04-13 15:20

KOCW입니다. 확인하였으나 아이폰, 아이패드, 맥의 사파리에서는 모두 재생이 되고 window의 사파리에서는 재생이 되지 않는 것을 확인했습니다. windows 사파리에서의 재생오류는 수정중에 있습니다.

wj********* 2018-04-12 10:47

pn접합 1 부터 보고있는데 pn접합 2 도 마찬가지예요

wj********* 2018-04-12 10:46

1시간 반 쯤부터 모바일에서 영상이 재생되질 않아요 (아이폰 사파리에서 웹으로 보고있어요) 피씨에서도 그 쯔음부터는 계속 버퍼링만 도네요

운영자2018-01-23 09:48

예를 들면, 역방향 바이어스 된 pn diode의 drift current 브라운 관에 흐르는 전류 _전자총에서 화면으로 흐르는 전류_

운영자2018-01-23 09:47

문의 답변입니다. 채널에 존재하는 전자는 없지만 움직이는 전자는 존재하여 전류를 형성함. 이 경우 전압-전류관계는 오옴의 법칙이 성립하지 않고 일정 전류가 흐름.

sk******* 2018-01-21 17:55

제가 생각하기에는 drain 쪽에 전자가 없어서 채널이 형성되지 않아서 Id가 흐르지 않을 것 같은데 어떻게 전류가 흐르는 지 궁금합니다.

sk******* 2018-01-21 17:53

저도 질문하나 하겠습니다. 10강에서 Vgd

운영자2018-01-05 14:30

Diffusion current의 경우는 minority carrier의 life time이 짫기때문에 농도의 기울기가 급격해 minority carrier에 의해 지배된다고 생각할 수 있음

운영자2018-01-05 14:30

그러나 일반적으로는 drift current는 majority carrier에 의해 지배된다고 생각할 수 있음

운영자2018-01-05 14:30

예를 들어 GaAs의 경우 hole mobility가 electron mobility에 비해 현격이 작은 값이므로 low doping된 p-type의 경우 정공의 농도에 의해 drift current가 지배된다고 볼 수는 없음

운영자2018-01-05 14:29

이 문제는 큰수와 작은수를 합을 구할때 작은 수를 무시하는 경우입니다. drift current의 경우 이동율과 농도의 곱으로 결정되므로 전적으로 majority carrier에 지배된다고 볼 수는 없음.

운영자2018-01-05 14:29

KOCW운영팀입니다. 김명식 교수님의 답변 안내 드립니다.

ep****** 2018-01-02 23:50

여기에 질문 해도 될까요 3강에서 교수님이 diffusion current는 minority carrier에 의해 지배되고 drift current는 majoriry carrier에 의해 지배된다고 말씀 하셨는데 배운바에 의하면 반대여서 헷갈립니다.

do******** 2017-12-11 04:07

진짜 잘가르쳐주세요!항상 강의 잘 듣고 있습니다^^금오공대 학생들 진짜 부러워요ㅠㅜ교수님 헤어스타일도 진짜 멋지세요!뒤에서 보면 그라데이션으로 보이는데 혹시 일부러 염색을 하시는 건가요? 아이돌 같아요!

bi***** 2017-06-23 16:39

교수님 열정넘치시고 강의는 너무 좋습니다. 근데 카메라가 ㅡㅡ

dj****** 2017-06-04 23:36

수업은 좋은데 진짜 카메라맨 때문에 제가 살다살다 글을 다 남기네요 덕분에 흐름이 깨지네요 교수님만따라 다시시나요 수업이란게 흐름이데 줌인 줌아웃 계속하시고 왔다갔다하시고..강의가 있음에감사해야겠네요

go******** 2017-04-17 11:07

최고의 수업입니다. 꼭 들으시길

li********* 2017-03-01 19:55

정말 기본기부터 제대로 가르쳐주시는 교수님임.

ys****** 2016-09-27 18:33

아 카메라 진짜.. 강의점수100을 1점으로 내려가게 하네요 얼굴한번보고 뭐가 불만이냐고 묻고 싶을정도네요

li***** 2016-07-05 08:38

♡♡♡♡♡♡♡♡♡♡교수님 사랑합니다♡♡♡♡♡♡♡♡♡♡♡♡

운영자2016-05-24 16:49

KOCW운영팀입니다. 강의교재는 전자회로, 김규철외 9인 역, McGraw-Hill Korea 입니다.

go**** 2016-05-23 17:50

강의 교재 좀 알아봐주세요 :)

wj********* 2016-03-05 14:10

명강입니다 정말!! . 금오공대가 부럽군요.

as****** 2015-10-30 12:17

설명을 꼼꼼하게 잘 해주셔서 이해가 잘 되었습니다. 강의에 질은 정말 좋은데 아쉬운 점은 카메라 포커스가 강의하는 부분을 잡지않고 다른 곳을 많이 잡아주어 보기가 좀 불편했습니다.

ky***** 2015-05-05 20:20

판서를 다 하시는 열정 대단하십니다 감사합니다