| 1. | Introduction & 산화공정 | Introduction & 산화공정 | ||
| 2. | |
산화공정 | I. 산화 및 재분포 II. 산화막의 성질 및 응용 III. 실리콘과 산화막의 계면 & C-V 측정 IV. 게더링 |  |
| 3. | |
확산공정 | I. 확산 II. 기체 상태로부터의 도핑 III. 고체 상태에서의 확산 IV. 확산 방정식 V. 확산층의 측정 VI. 마스킹 산화막과 선택적인 확산 | |
| 4. | |
이온주입공정 | I. 서론 II. 이온 주입 장비 III. 이온 주입의 특징 및 응용 IV. 비정질에서의 주입 이온의 분포 V. 단결정에서의 주입 이온의 분포 VI & VII. 손상과 어닐링 VIII. 소자 및 집적회로 제조기술에 미치는 영향 | |
| 5. | |
화학기상증착공정 | I.화학기상증착 II. 실리콘 에피 성장 III. 저압화학기상증착 IV. 플라즈마 화학기상증착 | |
| 6. | |
사진식각 공정 | I. 감광제 이론 II. 스핀 코팅, 소프트 베이크, 현상, 하드 베이크 III. 노출공정 IV. 크기 조절 및 검사 V. 현상 검사와 문제점 VI. 정상파 문제와 빛의 반사 VII. 적외선 베이크 VIII. 습식 식각 IX. 건식 식각 X. 식각의 문제점 | |
| 7. | |
금속공정 | I. 금속 공정 II. 금속-실리콘 접촉 III. 금속 박막의 형성과 비교 IV. 알루미늄 박막의 성질 V. 알루미늄 공정 VI. 알루미늄의 신뢰도 VII. CMP와 다층 금속배선 | |
| 8. | |
시험공정 | I. 측정에 사용되는 용어 소개 II. 바이폴라 변수 측정 III & IV. MOS 변수 측정 V. 프로브 스테이션 | |
| 9. | |
일괄공정 | I. 단위 공정 II. 0.5 μm CMOS Process III. Ring Gate Process IV. Process Monitoring | |
대구광역시 동구 동내로 64(동내동 1119) 우)41061
COPYRIGHT keris. all rights reserved
페이스북
트위터
카카오톡
네이버밴드
링크복사
